11月6日下午，武汉纺织大学第179期学术沙龙 ——“新型半导体材料与器件”学术沙龙在崇真南楼A5033举行。本次沙龙由先进能源与未来显示技术团队发起，邀请中国科学院物理研究所孟庆波研究员、武汉大学林乾乾教授作专题报告，围绕薄膜太阳能电池、半导体载流子动力学与缺陷特性等研究方向分享学术成果，探讨材料与器件性能提升的关键科学问题。

孟庆波研究员作了题为《铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池的机遇》的报告。他介绍了铜锌锡硫硒（CZTSSe）材料在元素资源储量、稳定性和产业化兼容性等方面的优势，并围绕制约其光电转换效率的关键因素，系统阐述了团队在缺陷物理、前驱体体系及体相与界面调控方面的研究进展。通过器件电荷动力学研究，团队揭示了与深能级缺陷和微观结构无序相关的体相非辐射复合是造成器件性能损失的重要原因。在此基础上，通过调节溶液中的金属—分子配位关系、控制薄膜生长模式及晶化动力学，优化薄膜微观结构与相演变过程，实现了17.1%的光电转换效率。报告呈现了从电荷动力学分析到缺陷调控、结晶工程与器件优化的研究思路，为高效率、可规模化制备的薄膜光伏技术发展提供了有益启示。

林乾乾教授作了题为《新型半导体材料载流子动力学和缺陷特性研究》的报告。他围绕新型半导体薄膜与器件中载流子的产生、输运和复合过程，重点介绍了基于泵浦—探测原理的瞬态微波光电导（TRMC）技术，以及基于瞬态电容测量的深能级缺陷谱（DLTS）技术。报告结合相关研究，阐释了缺陷态对载流子捕获、再释放及复合行为的影响，介绍了利用载流子动力学与缺陷表征结果理解界面调控作用、指导器件设计与模拟优化的方法，为建立材料微观缺陷特征与宏观器件性能之间的联系提供了研究参考。

本次学术沙龙从材料制备与结晶调控、缺陷表征与载流子动力学等不同角度，探讨了新型半导体材料与器件研究中的共性问题，体现了材料、物理、化学与电子信息等学科交叉研究的特点。活动为学院师生了解学术前沿、拓展科研思路提供了交流平台，也为进一步加强校际及科研院所合作、推动学院相关领域的科学研究与人才培养创造了良好条件。